[发明专利]一种氮化物单晶生长装置及方法有效

专利信息
申请号: 202011133464.1 申请日: 2020-10-21
公开(公告)号: CN112430848B 公开(公告)日: 2021-09-28
发明(设计)人: 王智勇;黄瑞;兰天;李颖 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: C30B29/40 分类号: C30B29/40;C30B15/34;C30B15/14;C30B15/20;C30B15/02
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 郑朝然
地址: 100022 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明实施例提供一种氮化物单晶生长装置及方法,包括:坩埚位于反应室内,加热器位于坩埚外表面,每一单晶生长模块位于坩埚内,坩埚用于放置目标金属熔体,第一电极位于所述坩埚内;对于任一单晶生长模块,导模板位于所述坩埚内,籽晶夹持器的下端与籽晶杆的上端连接,籽晶杆的下端与目标氮化物籽晶的上端连接,目标氮化物籽晶的下端位于导模板的上方,第二电极位于籽晶杆的两侧;第一电极与目标电源的负极连接,第二电极与所述目标电源的正极连接。本发明实施例通过施加电场和导模板相结合的方式,实现了在目标氮化物籽晶上生长目标氮化物单晶的功能,这种方式可以拉制出大尺寸单晶。
搜索关键词: 一种 氮化物 生长 装置 方法
【主权项】:
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