[发明专利]一种三维存储器及其制作方法

摘要

本发明提供一种三维存储器及其制作方法，该制作方法包括以下步骤：提供一基底结构；形成第一沟道孔于基底结构中；形成第二保护层于第一牺牲层被第一沟道孔所暴露的侧壁；形成第二牺牲层于第一沟道孔中；形成第一叠层结构；形成第二沟道孔于第一叠层结构中，第二沟道孔上下贯穿第一叠层结构，且第二沟道孔在底部介质层上的正投影位于第一沟道孔内；去除第二牺牲层；形成沟道结构于第一沟道孔及第二沟道孔中，沟道结构包括沟道层及环绕于沟道层外侧面及外底面的存储叠层。本发明可以提高底部牺牲层去除后核心区和虚设区的支撑能力，并提高沟道孔底部的分布均匀性，有利于改善底部牺牲层去除以后的填充工艺窗口，并避免沟道孔顶部扩大。