[发明专利]一种紫外LED的外延生长方法有效
| 申请号： | 202011135542.1 | 申请日： | 2020-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN112259648B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 徐平;刘康;龚彬彬 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32;C23C16/52;C23C16/44;C23C16/34 |
| 代理公司： | 长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214 | 代理人： | 张勇;刘伊旸 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种紫外LED的外延生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温GaN缓冲层、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长多量子阱发光层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却，其中生长多量子阱发光层依次包括所述；所述生长多量子阱发光层依次包括：生长AlGaN层、生长GaN层、生长InGaN阱层、Mg渐变掺杂AlGaN层以及生长GaN垒层的步骤。本发明方法解决现有LED外延生长中存在的LED发光效率较低的问题，以满足紫外LED的应用需要，同时降低工作电压，减少LED发光波长的蓝移量，增强抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 led 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湘能华磊光电股份有限公司，未经湘能华磊光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011135542.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于内窥镜弯角自锁装置
- 下一篇：一种低糖天冬蜜饯及其制备方法
