[发明专利]一种半导体装置的制备方法有效
| 申请号： | 202011136147.5 | 申请日： | 2020-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN111969065B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 大田裕之 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/04;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 朱艳 |
| 地址： | 102199 北京市大兴区经济技术开发*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置的制备方法，所述半导体装置中的半导体结构包括：源极，其形成于硅衬底上；漏极，其形成于硅衬底；栅极，其形成于硅衬底；以及第一隔离结构，其在源极与漏极之间与漏极相邻地设置，靠近源极的侧壁的面取向为（111）晶面。本发明起到能够抑制热载流子的产生的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 装置 制备 方法 | ||
【主权项】：
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