[发明专利]一种高击穿电压的沟槽功率器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202011136918.0 | 申请日： | 2020-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN112103346A | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 刘斯扬;隗兆祥;周华;付浩;严晓雯;魏家行;孙伟锋;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/04 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 沈廉 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种具有高击穿电压的沟槽碳化硅功率器件，其器件结构包括，N型衬底，N型缓冲层，N型外延层，呈方形阵列排布的多晶硅栅，多晶硅栅的外围设有栅氧化层，栅氧化层两侧设有P型体区和N型源区，P型体区上方设有P型源区，N型源区、P型源区和P型外延柱的上方设有源极金属，N型衬底下表面设有漏极金属。本发明提出的三维器件结构的四个顶角设有P‑外延柱，该外延柱是在衬底外延过程中采用多次离子注入和外延工艺与N型外延层同步形成。P‑外延柱上方与源极金属直接相连，侧壁由栅氧化层与多晶硅栅隔离，底部与N型外延层接触。P‑外延柱的底部与N型外延层形成PN结，器件外接正向压降时，该PN结反偏，可以承受很强的电场，替栅氧化层分担了一部分电场，使沟槽拐角处栅氧化层内的电场强度降低，以提高功率碳化硅器件的击穿电压以及可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 击穿 电压 沟槽 功率 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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