[发明专利]带有斜场板的氮化镓结势垒肖特基二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 202011138083.2 | 申请日： | 2020-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN112186033A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 周弘;杨蓉;雷维娜;张进成;刘志宏;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/40;H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种带有斜场板的氮化镓结势垒肖特基二极管及其制作方法，主要解决现有技术击穿电压低、可靠性差的问题。其自下而上包括欧姆阴极金属层(4)、N+氮化镓衬底层(1)、N‑氮化镓外延层(2)、P型结层(3)及肖特基阳极金属层(5)，该肖特基阳极金属层(5)两端的上方设有第一钝化介质层(6)；该肖特基阳极金属层(5)和第一钝化介质层(6)的上方设有第一金属场板层(7)；该第一金属场板层(7)两端的上方设有第二钝化介质层(8)；该第一金属场板层(7)和第二钝化介质层(8)的上方设有第二金属场板层(9)。本发明增高了氮化镓结势垒肖特基二极管的反向击穿电压，降低其反向漏电，可用于高频高功率电子设备。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 斜场板 氮化 镓结势垒肖特基 二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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