[发明专利]一种带有斜场板结构的氮化镓肖特基二极管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种带斜场板结构的氮化镓肖特基二极管及其制作方法，主要解决现有技术击穿电压偏低、可靠性差的问题。其自下而上，包括欧姆阴极金属层(1)、N+氮化镓衬底层(2)、N‑氮化镓外延层(3)及肖特基阳极金属层(5)，该N‑氮化镓外延层与肖特基阳极金属层之间增设有P型氧化镍层(4)；该N‑氮化镓外延层两端的上方及P型氧化镍层两端的上方设有钝化介质层(6)；该肖特基阳极金属层与钝化介质层上方设有金属场板层(7)，该金属场板层采用厚度为50～200nm的斜面场板结构。本发明增高了垂直型氮化镓肖特基势垒二极管的反向击穿电压，降低了反向漏电流，可用于汽车电子和开关电源。