[发明专利]一种用于光提取的随机纳米图案制备方法有效
申请号: | 202011138393.4 | 申请日: | 2020-10-22 |
公开(公告)号: | CN112436096B | 公开(公告)日: | 2021-12-31 |
发明(设计)人: | 周雄图;翁雅恋;郭太良;张永爱;吴朝兴;严群;孙捷 | 申请(专利权)人: | 福州大学;闽都创新实验室 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;B81B7/04;B81C1/00 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 陈明鑫;蔡学俊 |
地址: | 350108 福建省福州市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明涉及一种用于光提取的随机纳米图案制备方法。所述随机皱褶图案的制备主要通过软印刷复制方法实现,采用原子层沉积方法生长多晶态氧化物薄膜,并以结晶颗粒为掩膜进行表面刻蚀,形成高低起伏的表面,然后配制软印刷复制材料PDMS对其表面进行压印,形成随机褶皱图案。通过改变生长条件调节结晶颗粒的分布及尺寸,从而调控随机皱褶团案的高低起伏情况,形成不同的微结构并应用于光电器件的光效提升。本发明结构简单、制作方法工艺简单、操作简便、成本低,且能大大提高光电器件的外量子点效率,效果显著。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 提取 随机 纳米 图案 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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