[发明专利]一种用于GaN HEMT功率器件的驱动控制芯片有效
| 申请号： | 202011138695.1 | 申请日： | 2020-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN112311211B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 曹海啸;杨旭;屈万园 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H02M1/08 | 分类号： | H02M1/08;H02M1/088;H02M1/32;H03K17/082;H01L29/778;H01L29/20 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 王琛 |
| 地址： | 310013 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于GaN HEMT功率器件的驱动控制芯片，通过采用压控电流源高边管栅极钳位技术，自适应调节自举充电路径的电流，防止自举电源轨超过GaN HEMF功率器件的栅源耐压，克服了高边管易损的难题。同时，本发明高低边管采用独立通道控制，从而根据应用准确的控制死区时间，减少高频下的死区损耗，提高系统效率。另外，本发明片内集成高压管开关，控制自举充电路径的开启或关闭，实现控制电路全集成，减少片外元件，提高系统集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 gan hemt 功率 器件 驱动 控制 芯片 | ||
【主权项】：
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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