[发明专利]一种二氧化锰/石墨烯超结构电极及其制备方法有效
| 申请号： | 202011141021.7 | 申请日： | 2020-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN112185708B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 官操;唐晓琬;曹庆贺;杜俊杰;徐茜 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | H01G11/24 | 分类号： | H01G11/24;H01G11/26;H01G11/32;H01G11/46;H01G11/86;B33Y80/00;B33Y10/00 |
| 代理公司： | 西安凯多思知识产权代理事务所(普通合伙) 61290 | 代理人： | 云燕春 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明一种二氧化锰/石墨烯超结构电极及其制备方法，属于电化学储能技术中电极制备领域；电极包括具有螺旋24面体Gyroid结构的石墨烯载体，以及二氧化锰层。首先设计螺旋24面体(Gyroid)超结构模板，将紫外光固化树脂与二氧化硅颗粒混合进行光聚合打印得到树脂模板；对树脂模板进行脱脂和烧结，将光聚合物去除，得到二氧化硅超结构模板。然后采用化学气相沉积法在二氧化硅超结构模板表面生长石墨层。之后，用氢氟酸水溶液腐蚀掉二氧化硅，得到石墨烯超结构电极，在石墨烯超结构电极表面生长二氧化锰纳米片，形成二氧化锰/石墨烯超结构电极。螺旋二十四面体结构拥有连续曲面，二氧化锰层能在其上均匀沉积，且具有高比表面积，活性物质负载量可达20～100mgcm |
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| 搜索关键词： | 一种 二氧化锰 石墨 结构 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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