[发明专利]半导体工艺设备的反应腔室及半导体工艺设备有效
申请号: | 202011142050.5 | 申请日: | 2020-10-22 |
公开(公告)号: | CN112458441B | 公开(公告)日: | 2022-09-16 |
发明(设计)人: | 朱海云 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54;C23C16/52;C23C16/44;C23C16/455;C23C16/458;H01L21/20;H01L21/205 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 施敬勃 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本申请公开一种半导体工艺设备的反应腔室及半导体工艺设备,所公开的反应腔室中:端盖部通过铰链机构与腔室本体铰接,安装件可拆卸地设置于腔室本体上,端盖本体活动设置于安装件上,匀流装置设置于端盖本体朝向腔室本体的一侧;绝缘调节件包括绝缘调节基部和调节螺杆,绝缘调节基部与端盖本体可拆卸相连,绝缘调节基部设置于腔室本体上,且位于安装件内侧,安装件开设有与调节螺杆螺纹配合的螺纹通孔,调节螺杆的一端穿过螺纹通孔,且抵触于绝缘调节基部上;在调节螺杆转动的情况下,调节螺杆推动绝缘调节基部、端盖本体和匀流装置移动。上述方案能够解决匀流板以及匀流喷头与反应腔室的同心度较低的问题。 | ||
搜索关键词: | 半导体 工艺设备 反应 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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