[发明专利]基于微纳米金属/半导体肖特基结的可控量子结构制备方法有效
| 申请号： | 202011142806.6 | 申请日： | 2020-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN112382558B | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 钟振扬;陈培宗;张宁宁;张立建;樊永良;蒋最敏 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体量子结构技术领域，具体为一种基于微纳米金属/半导体肖特基结的可控量子结构制备方法。本发明方法，是在含有量子阱的半导体表面，制备金属微纳米结构，形成微纳米尺度的金属/半导体肖特基结，该微纳米肖特基结附近存在一个局域静电场，可以在量子阱层中对载流子产生一个横向限制，从而在半导体量子阱中得到新型可控的量子结构；所述量子结构包括量子点、量子线、量子环及其混合结构和阵列；本发明方法简单易行，在不损坏半导体晶体质量和不引入额外杂质的前提下,制备得到可控的半导体量子结构，甚至可用于制备复杂高质量的半导体量子结构体系，为新型半导体量子器件的制备提供了新途径。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 纳米 金属 半导体 肖特基结 可控 量子 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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