[发明专利]光栅耦合器及其制备方法在审
| 申请号： | 202011143700.8 | 申请日： | 2020-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN112230339A | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 肖志雄;冯俊波;胡志朋;邵斯竹;吴月;朱兴国;郭进 | 申请（专利权）人： | 联合微电子中心有限责任公司 |
| 主分类号： | G02B6/136 | 分类号： | G02B6/136;G02B6/138;G02B6/124 |
| 代理公司： | 江苏坤象律师事务所 32393 | 代理人： | 赵新民 |
| 地址： | 401332 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种光栅耦合器及其制备方法，本发明的光栅耦合器的制备方法包括如下步骤：提供SOI衬底，所述SOI衬底自下而上包括硅衬底层、二氧化硅中间层以及硅顶层；刻蚀所述硅顶层形成第一耦合光栅；在所述硅顶层上形成Poly‑Si层；刻蚀所述Poly‑Si层形成第二耦合光栅；所述第二耦合光栅与所述第一耦合光栅错位堆叠。本发明的光栅耦合器通过在硅顶层上形成Poly‑Si层减小光栅耦合器的插入损耗，再通过第二耦合光栅与所述第一耦合光栅偏移设计，进一步减小插入损耗，并且偏移设计可以提高光栅制备工艺的容差。 | ||
| 搜索关键词： | 光栅 耦合器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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