[发明专利]一种低输入电容GaN基HEMT器件在审
| 申请号： | 202011143940.8 | 申请日： | 2020-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN112086508A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 陈万军;王方洲;许晓锐;孙瑞泽;信亚杰;夏云;刘超;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/778 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种低输入电容GaN基HEMT器件。本发明的主要方案是采用了分裂源场板结构。分裂源场板的设计可以大幅度地减小器件源极与栅极之间的相对面积，这可以使器件的输入电容得到了显著地降低。在器件的开关过程中，这样的低输入电容可以使器件具有较低的栅极信号的充放电时间，进而降低GaN基HEMT器件的开关损耗。因此，本发明具有较低的开关损耗，可用于低功耗功率开关器件应用中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 输入 电容 gan hemt 器件 | ||
【主权项】：
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