[发明专利]铜互连结构制作方法有效
| 申请号： | 202011145106.2 | 申请日： | 2020-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN112259502B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 邢中豪;赵波 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体铜互连制作工艺，具体涉及一种铜互连结构制作方法。所述铜互连结构制作方法包括：提供预先图案化有互连孔槽的互连层；在所述互连孔槽内壁上形成铜种子层；火温度为180C至250C的条件下，对所述铜种子层进行20秒至40秒预退火，使得铜种子层的铜晶格进行生长，补偿铜种子层铜晶格间间隙，形成连续的铜种子层；通过铜电镀工艺，在所述铜种子层上，形成填充所述互连孔槽的铜互连结构；对所述铜互连结构进行退火；通过研磨工艺使得所述铜互连结构的表面平坦化。本申请能够解决相关技术中因PVD方法生长形成的铜种子层的结构具有不稳定性，而导致铜互连结构不可靠的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
