[发明专利]位线驱动结构及三维存储器结构

摘要

本发明提供了一种位线驱动结构及三维存储器结构，位线驱动结构包括：第一衬底；形成于第一衬底的第一表面一侧的驱动器件阵列，由多个驱动器件排列构成；驱动器件包括有源器件区、源区、漏区和栅极结构；源区和漏区分别位于栅极结构的两侧；各有源器件区之间具有间隔；在行方向上排列的同一行驱动器件中，位于两侧边缘的驱动器件的源区和漏区宽度大于位于非两侧边缘的驱动器件的源区和漏区宽度。本发明引入了在行方向两侧边缘区域具有更宽源漏区宽度的驱动器件，通过增加边缘区域源漏区宽度，增加了器件结面积，展宽了耗尽区，减小了电场，从而提高了器件的源漏击穿电压；通过改善驱动器件阵列耐压的薄弱点，增加了驱动器件阵列的整体耐压性能。