[发明专利]一种通过不同钴基咪唑负载以提高金属氧化物半导体电极材料光电化学性能的方法在审
申请号: | 202011147307.6 | 申请日: | 2020-10-23 |
公开(公告)号: | CN112251773A | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 刘冀锴;韩红利;罗和安 | 申请(专利权)人: | 湘潭大学 |
主分类号: | C25B11/095 | 分类号: | C25B11/095;C25B1/04;C25B1/55;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 411105 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: |
本发明公开了钴基咪唑包覆的α‑Fe |
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搜索关键词: | 一种 通过 不同 咪唑 负载 提高 金属 氧化物 半导体 电极 材料 光电 化学 性能 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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