[发明专利]一种通过不同钴基咪唑负载以提高金属氧化物半导体电极材料光电化学性能的方法在审

专利信息
申请号: 202011147307.6 申请日: 2020-10-23
公开(公告)号: CN112251773A 公开(公告)日: 2021-01-22
发明(设计)人: 刘冀锴;韩红利;罗和安 申请(专利权)人: 湘潭大学
主分类号: C25B11/095 分类号: C25B11/095;C25B1/04;C25B1/55;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 411105 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了钴基咪唑包覆的α‑Fe2O3光阳极材料及其制备方法。本发明以导电玻璃为基底制备α‑Fe2O3并在其表面负载钴基咪唑从而形成包覆层,合成具有较高光电化学性能的复合光电极材料Co‑MIm@Sn‑Fe2O3和Co‑EIm@Sn‑Fe2O3。所述电极材料包括基底、α‑Fe2O3和钴基咪唑包覆层。所述钴基咪唑包覆的氧化铁,能够显著改善电极材料的光电化学性能,可应用于太阳能光伏电池制备、光电化学传感器构建以及光电催化水分解制氢等领域。
搜索关键词: 一种 通过 不同 咪唑 负载 提高 金属 氧化物 半导体 电极 材料 光电 化学 性能 方法
【主权项】:
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