[发明专利]一种功率半导体器件有效
| 申请号： | 202011152113.5 | 申请日： | 2020-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN111987147B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 李振道;孙明光;朱伟东 | 申请（专利权）人： | 江苏应能微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;陈丽丽 |
| 地址： | 213000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成电路技术领域，具体公开了一种功率半导体器件，其中，包括：半导体基板，所述半导体基板被划分为主动区和终端区，所述主动区位于所述半导体基板的中心区，所述终端区位于所述主动区的外圈且环绕所述主动区设置，所述主动区和所述终端区均包括环状结构，所述主动区的每个环状结构的曲率半径均相同，所述终端区的每个环状结构的曲率半径均相同，且所述终端区的环状结构的曲率半径均等于所述主动区的环状结构的曲率半径。本发明提供的功率半导体器件能够有效提升并控制击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
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