[发明专利]一种N阶声学超材料低频隔声结构在审
申请号: | 202011153005.X | 申请日: | 2020-10-23 |
公开(公告)号: | CN112259066A | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 王小鹏;叶鹰瑞;关天赐 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | G10K11/162 | 分类号: | G10K11/162;G10K11/172 |
代理公司: | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人: | 覃婧婵 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种N阶声学超材料低频隔声结构,涉及机械噪声与环境噪声控制技术领域,所述结构包括多个沿x、y方向阵列扩展的(N‑1)阶声学超材料低频隔声结构,粘接附着在(N‑1)阶声学超材料扩展结构中心的N阶质量块和外部支撑框架,其中,N≥2,当N=2时,二阶声学超材料低频隔声结构包括沿x、y方向阵列扩展的多个声学超材料单元胞和附着于扩展结构中心的二阶质量块;其中,所述结构产生的隔声峰是通过相邻阶次声学超材料的模态耦合反共振效应产生,所述N阶质量块用以增强所述模态耦合反共振效应。本发明具有结构简单、易于调节等特点,同时结构具有很大的扩展空间,对于低频范围内的多频隔声具有潜在的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 声学 材料 低频 结构 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学,未经西安交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011153005.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种醋氯芬酸合成精制工艺
- 下一篇:一种智能精准体脂仪