[发明专利]对特征进行等离子体蚀刻的方法、由其形成的衬底及用于等离子体蚀刻的设备在审
| 申请号： | 202011153176.2 | 申请日： | 2020-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN112908843A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | H·阿什拉夫;A·克鲁特;K·里德尔 | 申请（专利权）人： | SPTS科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施例涉及一种对特征进行等离子体蚀刻的方法、由其形成的衬底及用于等离子体蚀刻的设备，其中所述方法包括如下步骤：(a)提供上面形成有掩模的衬底，所述掩模具有开口，其中所述衬底由复合半导体材料形成；(b)执行第一等离子体蚀刻步骤以穿过所述开口各向异性地蚀刻所述衬底以产生具有包括外围区域的底部表面的经部分形成特征；及(c)执行第二等离子体蚀刻步骤以穿过所述开口各向异性地蚀刻所述经部分形成特征的所述底部表面，同时将钝化材料沉积到所述掩模上以便减小所述开口的尺寸，其中所述开口的所述尺寸的所述减小导致所述外围区域的蚀刻的衰减，借此产生具有包括中央区域及边缘区域的底部表面的经完全形成特征，其中所述中央区域比所述经完全形成特征的所述底部表面的所述边缘区域深。 | ||
| 搜索关键词： | 特征 进行 等离子体 蚀刻 方法 形成 衬底 用于 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
