[发明专利]一种n-型半导体插层并五苯有机场效应晶体管及应用有效
| 申请号： | 202011153410.1 | 申请日： | 2020-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN112366274B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 康利民;王一如;殷江;夏奕东;刘治国 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H10K85/60 | 分类号： | H10K85/60;H10K10/46;H10K10/82;H10K10/43;H10K71/12 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种利用n‑型半导体插层提升并五苯有机场效应晶体管工作性能的方法，在结构为栅电极/绝缘层/聚合物介质薄膜/并五苯/源(漏)电极的有机场效应晶体管器件中，在绝缘层和聚合物介质薄膜之间设置一n‑型半导体薄膜插层；n‑型半导体插层厚度为1‑200nm；通过n‑型半导体插层中界面处的感生电子降低并五苯与聚合物介质界面处的空穴势垒高度，有效降低并五苯有机半导体晶体管的编程/擦除工作电压；通过调节n‑型半导体插层中n‑型载流子数量调节并五苯与聚合物介质界面处的空穴势垒高度至合理的范围，使并五苯有机场效应晶体管器件具有较低的工作电压，较快的编程/擦除速度，良好的编程/擦除可靠性及数据保持能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 有机 场效应 晶体管 应用 | ||
【主权项】：
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