[发明专利]InAlGaN超晶格结构生长方法、超晶格结构、外延结构和芯片在审
| 申请号： | 202011153771.6 | 申请日： | 2020-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN112259657A | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 孟锡俊;崔志强;贾晓龙 | 申请（专利权）人： | 山西中科潞安紫外光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/06;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 张宏伟 |
| 地址： | 046000 山西*** | 国省代码： | 山西;14 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种InAlGaN超晶格结构生长方法、超晶格结构、外延结构和芯片，生长方法包括以下步骤：(1)、生长InGaN阱层，所述InGaN阱层的生长温度为600℃～700℃；(2)、在所述InGaN阱层上生长InAlGaN Cap层，述InAlGaN Cap层的生长温度为600℃～700℃；(3)、在所述InAlGaN Cap层上生长GaN Cap层，所述所述GaN cap层的生长温度为600℃～700℃；(4)、在所述GaN Cap层上生长n型InAlGaN垒层，所述n型InAlGaN垒层的生长温度为600℃～700℃；(5)、重复上述步骤(1)～(4)多次，形成多周期循环结构的InAlGaN超晶格结构。其能够有效改善核心层量子阱层的质量，降低阱垒层的缺陷，从而提高紫外GaN基LED的光效和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | inalgan 晶格 结构 生长 方法 外延 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山西中科潞安紫外光电科技有限公司，未经山西中科潞安紫外光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011153771.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
