[发明专利]一种用于减少蚀刻天线侧蚀的缓蚀剂及其使用方法在审
| 申请号： | 202011153825.9 | 申请日： | 2020-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN112239869A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 黄爱宾;刘彩凤 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | C23F1/18 | 分类号： | C23F1/18;C23F1/20 |
| 代理公司： | 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 周希良 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于蚀刻天线技术领域，具体涉及一种用于减少蚀刻天线侧蚀的缓蚀剂，由以下重量分数的原料组成：乌洛托品(六亚甲基四胺)3‑7份，硫脲2‑5份，氯化聚(N‑羧甲基‑4‑乙烯基吡啶)盐16‑28份，EDTA(乙二胺四乙酸)7‑10份，马来酸酐6.5‑10.5份，柠檬酸4‑8份，抗坏血酸6‑8份，过碳酸钠8‑12份，聚乙二醇2‑5份，去离子水28‑48份；本发明的缓蚀剂无毒无害，可加快整体蚀刻速度，同时减缓局部的蚀刻速度，在不影响整体蚀刻的进程中，能够保证蚀刻干净的同时尽可能的减少侧蚀，使得蚀刻过程平稳均匀地运行。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 减少 蚀刻 天线 缓蚀剂 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州电子科技大学，未经杭州电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011153825.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
