[发明专利]一种改善鳍式晶体管Fin尺寸的方法在审
| 申请号： | 202011154128.5 | 申请日： | 2020-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN112271161A | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 巴文民;胡展源;刘厥扬 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种改善鳍式晶体管Fin尺寸的方法，提供包含有多个Fin的第一半导体结构，Fin的顶部上形成有第一、第二硬掩膜层；Fin的侧壁形成有第一薄型氧化层；将多个Fin中的部分Fin连同其上的第一、第二硬掩膜层和薄型氧化层切除形成第二半导体结构；在第二半导体结构上形成一层硅缓冲层；采用流体化学气相沉积法在形成有硅缓冲层的第二半导体结构上覆盖一氧化硅层；对第二半导体结构进行退火。本发明在FinFET器件的制造过程中，为了避免在FCVD及后续退火制程对Fin的消耗，在Fin成型之后的FCVD制程之前，在Fin上形成一层硅缓冲层以此中和FCVD以及后续退火过程中对Fin的消耗，从而确保Fin的形貌与尺寸不受影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 晶体管 fin 尺寸 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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