[发明专利]形成微电子装置的方法以及相关微电子装置和电子系统有效
申请号: | 202011155149.9 | 申请日: | 2020-10-26 |
公开(公告)号: | CN112750840B | 公开(公告)日: | 2022-11-08 |
发明(设计)人: | J·D·霍普金斯;陈洁薇;N·M·洛梅利 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/11551 | 分类号: | H01L27/11551;H01L27/11578 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请涉及形成微电子装置的方法,并且涉及相关微电子装置和电子系统。一种形成微电子装置的方法包括形成包括绝缘结构和与所述绝缘结构竖直交替的另外的绝缘结构的堆叠结构。孔被形成为在所述堆叠结构内以彼此不同的深度延伸到所述绝缘结构的表面。在所述孔内形成介电内衬结构。在所述孔的未被所述介电内衬结构占据的部分内形成牺牲结构。用加帽结构替换所述牺牲结构的上部部分。用导电材料替换所述绝缘结构的部分和所述牺牲结构的剩余部分。还描述了微电子装置和电子系统。 | ||
搜索关键词: | 形成 微电子 装置 方法 以及 相关 电子 系统 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的