[发明专利]一种抗饱和磁隔离电路在审
| 申请号： | 202011155241.5 | 申请日： | 2020-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN112367072A | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 张兴;张俊亭;徐泽锋;董宇;卫芬;彭方涛;卢萍;陈强;赫彬;王玉宝 | 申请（专利权）人： | 上海空间电源研究所 |
| 主分类号： | H03K19/003 | 分类号： | H03K19/003 |
| 代理公司： | 上海航天局专利中心 31107 | 代理人： | 唐敏 |
| 地址： | 200245 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抗饱和磁隔离电路，其特征在于，包含：输入脉冲生成模块，输入信号经过该模块在上升沿和下降沿处分别产生两个脉冲信号，输出端与功率放大模块连接；功率放大模块，其将脉冲信号放大，放大后与变压器隔离模块的输入端连接；变压器隔离模块，将信号输入输出进行磁隔离，输出端与波形生成模块连接；波形生成模块，将经过磁隔离后的脉冲信号还原，生成与输入波形一致的信号。本发明提出的抗饱和磁隔离电路在保留原有磁隔离电路优点的同时，可有效克服磁隔离电路在传输低频信号时存在的饱和问题，提高了磁隔离电路工作的安全性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 饱和 隔离 电路 | ||
【主权项】：
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