[发明专利]一种钐铁钴磷非晶薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202011155927.4 | 申请日： | 2020-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN112481666A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 俞能君;李迎畅;杨婉琪;吴琼;泮敏翔;张朋越;葛洪良 | 申请（专利权）人： | 中国计量大学;中国计量大学上虞高等研究院有限公司 |
| 主分类号： | C25D3/56 | 分类号： | C25D3/56;C25D5/48;C25D7/00 |
| 代理公司： | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人： | 何碧珩;卓彩霞 |
| 地址： | 310018 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种钐铁钴磷非晶薄膜，包含的元素为Sm、Fe、Co、P，其中各个元素的重量百分数的比值为Sm：Fe：Co：P＝x：y：z：a，5.0≤x≤35.0，55.0≤y≤80.0，0≤z≤30.0，0.1≤a≤2.0，x+y+z+a＝100。本发明还公开了一种钐铁钴磷非晶薄膜的制备方法，包括：(1)电极片活化处理；(2)电化学共沉积；(3)薄膜清洗。本发明能够实现Sm、Fe、Co三种元素的可控共沉积，薄膜元素分布均匀，而且本发明制备方法制得的非晶薄膜的饱和磁化强度较高，达到137emu/g。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钐铁钴磷非晶 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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