[发明专利]GaN功率器件结构、结温测试装置和方法有效
| 申请号： | 202011156048.3 | 申请日： | 2020-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN112420806B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 贺致远;陈义强;陈媛;路国光;黄云;恩云飞 | 申请（专利权）人： | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;G01R31/26 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 缪成珠 |
| 地址： | 511300 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体技术领域，具体公开一种GaN功率器件结构、结温测试装置和方法。GaN功率器件结构包括GaN基异质结构、欧姆接触电极以及肖特基接触电极。欧姆接触电极包括设置于所述GaN基异质结构上的栅极、源极以及漏极；肖特基接触电极设置于所述GaN基异质结构上，且位于所述栅极与所述源极之间，所述肖特基接触电极与所述源极分别构成肖特基二极管的两极。通过改进GaN功率器件结构，并通过结温测试方法能够实现对GaN功率器件结温的测试，并获得GaN功率器件的结温信息，进而为对GaN功率器件的工作寿命的预估提供测试数据。 | ||
| 搜索关键词： | gan 功率 器件 结构 测试 装置 方法 | ||
【主权项】：
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