[发明专利]一种用于增大碲锌镉单晶率的生长方法及装置在审
| 申请号： | 202011156059.1 | 申请日： | 2020-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN114481289A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 孔金丞;姬荣斌;姜军;赵鹏;赵增林;陈少璠;赵文;庹梦寒;贺政;蔡春江;李向堃 | 申请（专利权）人： | 昆明物理研究所 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/46 |
| 代理公司： | 昆明今威专利商标代理有限公司 53115 | 代理人： | 赛晓刚 |
| 地址： | 650221 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于增大碲锌镉单晶率的生长方法及装置，该装置包括PBN坩埚、支撑装置、碲锌镉材料、石英坩埚容器及加热单元；碲锌镉材料装入PBN坩埚并密封于石英坩埚容器内；石英坩埚容器置于支撑装置上；PBN坩埚包括籽晶引晶部分、生长放肩部分和等径段生长部分；籽晶引晶部分和生长放肩部分的坩埚厚度一致；PBN坩埚等径段壁厚按照线性比例逐渐减薄；加热单元位于PBN坩埚外侧。该方法包括将多晶碲锌镉材料放入PBN坩埚内、将装有多晶材料的PBN放入石英管坩埚中并对石英管坩埚内进行抽真空处理、将石英坩埚放置到晶体生长炉内并采用VGF法或THM法或布理奇曼法进行晶体生长及生长完成缓慢降温并取出等。本发明可改善固液界面形状，提高获得大单晶的几率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 增大 碲锌镉单晶率 生长 方法 装置 | ||
【主权项】：
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