[发明专利]基于局部碰撞电离的负阻和非饱和磁阻效应共存的器件有效
| 申请号： | 202011156234.7 | 申请日： | 2020-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN112331769B | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 何雄;夏正才 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L47/00 | 分类号： | H01L47/00;H01L43/08 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于局部碰撞电离的负阻和非饱和磁阻效应共存的器件，属于半导体器件技术领域，包括半导体基体和两个金属电极；两个金属电极设置于半导体基体的同一表面且至少有一个金属电极位于半导体基体表面的边缘；向金属电极施加持续增大的电流，半导体基体内形成的局部非均匀电场的电场强度增强，局部碰撞电离的发生，产生等效的载流子注入效应，使器件形成负阻效应；器件置于磁场中，半导体基体内部载流子由于洛伦兹力作用发生非均匀性变化，呈现出非饱和磁阻效应，实现负阻效应和非饱和磁阻效应共存于器件。本发明结构简单、性能测量方法成熟，可应用于发展新型多功能器件，比如具有高磁敏特性的脉冲发生器、新型多功能磁存储器件。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 局部 碰撞 电离 饱和 磁阻 效应 共存 器件 | ||
【主权项】：
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