[发明专利]一种二极管选通阵列中串联电阻及理想因子的测量方法有效
| 申请号： | 202011156695.4 | 申请日： | 2020-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN112285519B | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 李阳;蔡道林;宋志棠;李程兴;崔紫荆 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R27/08 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙) 31233 | 代理人： | 钱文斌;黄志达 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种二极管选通阵列中串联电阻及理想因子的测量方法，采用测试设备测量二极管选通阵列中待测二极管在正向偏压下的电流得到I‑V曲线，通过I‑V曲线上大电压区内的近邻两点计算所述待测二极管的串联电阻，通过I‑V曲线上截止区外小电压区内的近邻两点计算所述待测二极管的理想因子。本发明在不使用高精度的测试设备下能够较为准确的测出串联电阻及理想因子。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二极管 阵列 串联 电阻 理想 因子 测量方法 | ||
【主权项】：
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