[发明专利]基于超表面光学天线的红外射频信号探测器及其制备方法在审
申请号: | 202011157075.2 | 申请日: | 2020-10-26 |
公开(公告)号: | CN112259633A | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 罗俊;胡钗;魏东;张新宇 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H01L31/115 | 分类号: | H01L31/115;H01L31/0236;H01L31/0216;H01L31/18;H01Q15/00;H01Q15/10 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 李智 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种基于超表面光学天线的红外射频信号探测器及其制备方法,包括自下而上依次设置的衬底、掺杂层和二氧化硅层,制作于掺杂层之上与掺杂层形成肖特基接触的超表面光学天线层,制作于掺杂层之上与掺杂层形成欧姆接触的欧姆电极,以及位于二氧化硅层的上表面的肖特基电极和普通电极;超表面光学天线层是由多个彼此间隔的金属层组成的阵列结构,金属层包括第一金属层和第二金属层,第一金属层为宽度为0.5~5mm具有周期性纳尖结构的金属纳尖阵列,第二金属层为宽度为5~100mm的金属阵列,由周期性排列的微米基元构成;超表面光学天线层对入射的红外、射频S、C或X波段的信号具有局域表面等离激元效应,能够以较小的体积完成响应速度较快的信号探测。 | ||
搜索关键词: | 基于 表面 光学 天线 红外 射频 信号 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学,未经华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011157075.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种排线整齐的智能楼宇控制柜
- 下一篇:一种用于药物维持治疗的安防系统装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的