[发明专利]一种超高纯铜或铜合金中晶粒的细化方法有效
| 申请号： | 202011157439.7 | 申请日： | 2020-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN112453088B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;慕二龙;曹欢欢 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | B21C23/00 | 分类号： | B21C23/00;B21C25/02;B21C29/00;B21C31/00;C22F1/08 |
| 代理公司： | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人： | 王岩 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种超高纯铜或铜合金中晶粒的细化方法，所述细化方法包括：将超高纯铜或铜合金坯料加热，之后依次进行第一等径角挤压和第二等径角挤压。本发明提供的方法，通过采用特定的等径角挤压过程，使得晶粒细化至5μm以下，进而保证靶材采用细化后的超高纯铜或铜合金溅射时具有良好的溅射性能，进一步通过该细化方法使得靶材使用时的等离子体阻抗较低，薄膜沉积速率高及薄膜厚度均匀性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 铜合金 晶粒 细化 方法 | ||
【主权项】：
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