[发明专利]超快激光连续裂片装置及方法在审

专利信息
申请号: 202011159285.5 申请日: 2020-10-26
公开(公告)号: CN112192772A 公开(公告)日: 2021-01-08
发明(设计)人: 林学春;何超建;于海娟;苗张旺;韩世飞 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: B28D5/00 分类号: B28D5/00;B28D7/00;H01L21/78
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 孙蕾
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种超快激光连续裂片方法,包括以下步骤:将超快激光光源的激光从材料抛光的上表面聚焦到距离底部一定厚度处进行扫描加工,扫描间隔控制可变,形成改质层;将所述改质层以下的部分通过冷裂,从改质层处裂开并从待冷裂材料主体剥离下来;将待冷裂材料下移一个晶片厚度,也就是将超快激光聚焦点上移一个晶片厚度,重复上述加工过程,即实现超快激光连续裂片。本发明提出的方法只需一次对材料的上表面进行抛光/研磨等工序,连续裂片过程中不需要材料抛光、研磨等工序,当材料底部形成破裂层后进行后续处理可直接得到高质量的晶圆薄片,降低加工成本的同时,提高了冷裂效率。
搜索关键词: 激光 连续 裂片 装置 方法
【主权项】:
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