[发明专利]监控退火工艺稳定性的方法有效
| 申请号： | 202011159540.6 | 申请日： | 2020-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN112002640B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 余忠寅;蔡丹华;刘鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路制造（绍兴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种监控退火工艺稳定性的方法，其在对待退火处理的膜层进行退火处理之后，对具有所述膜层的晶圆监控片进行应力参数测量,所述应力参数包括应力大小、翘曲度和曲率半径等，显然能够对晶圆监控片在退火前后发生的形变进行监测，进而能够根据应力参数测量结果来判断退火工艺的稳定性是否符合要求，易于实现，且由于应力大小、翘曲度等应力参数可以是对晶圆监控片进行直接测量而获得，因此准确性高。 | ||
| 搜索关键词： | 监控 退火 工艺 稳定性 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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