[发明专利]基于氧化锌纳米线的压力传感器及其制备方法在审
申请号: | 202011159600.4 | 申请日: | 2020-10-26 |
公开(公告)号: | CN112271250A | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
发明(设计)人: | 李泠;史学文;卢年端;陆丛研;耿玓;段新绿;刘明 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L41/27 | 分类号: | H01L41/27;H01L41/113;H01L41/18;H01L29/786;H01L27/20;G01L1/16;B82Y40/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 刘歌 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种基于氧化锌纳米线的压力传感器及其制备方法,该制备方法包括在基底上制备底电极;在底电极上制备种子层;在种子层上制备氧化锌纳米线层;在氧化锌纳米线层上制作支撑层;以及在支撑层上制作顶电极。本发明制作的基于a‑IGZO‑TFT和ZnO NWs的压力传感器实现了压力的检测;相对于传统的压电材料而言的,如陶瓷类材料的压力传感器,一般制备温度在1000K以上,而本发明实现了在低温(70‑100℃)下制备压力传感器的技术。 | ||
搜索关键词: | 基于 氧化锌 纳米 压力传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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