[发明专利]基于氧化锌纳米线的压力传感器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202011159600.4 申请日: 2020-10-26
公开(公告)号: CN112271250A 公开(公告)日: 2021-01-26
发明(设计)人: 李泠;史学文;卢年端;陆丛研;耿玓;段新绿;刘明 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L41/27 分类号: H01L41/27;H01L41/113;H01L41/18;H01L29/786;H01L27/20;G01L1/16;B82Y40/00;B82Y30/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 刘歌
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种基于氧化锌纳米线的压力传感器及其制备方法,该制备方法包括在基底上制备底电极;在底电极上制备种子层;在种子层上制备氧化锌纳米线层;在氧化锌纳米线层上制作支撑层;以及在支撑层上制作顶电极。本发明制作的基于a‑IGZO‑TFT和ZnO NWs的压力传感器实现了压力的检测;相对于传统的压电材料而言的,如陶瓷类材料的压力传感器,一般制备温度在1000K以上,而本发明实现了在低温(70‑100℃)下制备压力传感器的技术。
搜索关键词: 基于 氧化锌 纳米 压力传感器 及其 制备 方法
【主权项】:
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