[发明专利]一种薄膜晶体管有源矩阵铌酸锂显示芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 202011160742.2 | 申请日： | 2020-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN112255824A | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 郭清仪;葛士军 | 申请（专利权）人： | 南京南辉智能光学感控研究院有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/03 | 分类号： | G02F1/03 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市江宁区麒麟*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于铌酸锂晶体电光效应的薄膜晶体管有源矩阵铌酸锂显示芯片及其制造方法，包括：上下玻璃基板，TFT阵列模块，铌酸锂电光调制模块，透明电极以及滤光片；其中，所述铌酸锂电光调制模块包括铌酸锂晶体层与电介质反射镜矩阵，所述透明电极靠近铌酸锂电光调制模块的一侧，形成黑矩阵，黑矩阵与铌酸锂电光调制模块中的电介质反射镜矩阵呈位置互补关系。本发明将传统TFT‑LCD结构中的液晶调光模块替换为铌酸锂电光调制模块，由于调光过程中不需要分子转动，因此具有更高的响应速度，且铌酸锂材料本身具有更高的折射率，这均有利于器件的进一步优化。再者，省略了传统光电显示芯片中灌晶这一繁琐的操作，简化了工艺步骤，节约了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 有源 矩阵 铌酸锂 显示 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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