[发明专利]一种分布反馈半导体激光器光栅及芯片的制备方法在审
| 申请号： | 202011161096.1 | 申请日： | 2020-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN112285816A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 侯建宏;刘昆;段利华;田坤;张靖;高猛;叶嗣荣 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18;H01S5/12 |
| 代理公司： | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人： | 王海军 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种DFB光栅的制作方法，尤其涉及一种分布反馈半导体激光器光栅及芯片的制备方法；光栅的制备方法包括生长出具有三层光栅材料的外延片结构，用腐蚀液沿V沟方向腐蚀该外延片结构，并通过扫描电镜测试底部至顶部的高度；根据光栅的占空比，利用相似梯形原理，在外延结构厚度不变的条件下，调整三层材料的厚度，从而达到控制光栅占空比的目的，最后通过二次外延得到所需要占空比的光栅。本发明公开的这种控制光栅占空比的方法能够较为精准控制光栅的占空比，工艺可重复性好，能够适应规模化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分布 反馈 半导体激光器 光栅 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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