[发明专利]半导体器件和方法在审
| 申请号： | 202011162351.4 | 申请日： | 2020-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN113054017A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 杨柏峰;杨世海;徐志安 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 朱亦林 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体器件和方法。提供了一种半导体器件及其制造方法，其利用金属种子来辅助使铁电层结晶。在实施例中，金属层和铁电层彼此相邻地形成，并且然后金属层扩散到铁电层中。一旦就位，则执行结晶工艺，其利用金属层的材料作为种子晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
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