[发明专利]降低钝化层应力的方法及钝化层应力缓冲结构在审
| 申请号： | 202011164359.4 | 申请日： | 2020-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN112234028A | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 蒙飞 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种降低钝化层应力的方法及钝化层应力缓冲结构。降低钝化层应力的方法包括提供设计版图，用于定义一带状金属层的结构，所述带状金属层包括至少一个拐角区域，拐角区域内包括一个大于180°的第一拐角和一个小于180°的第二拐角，且第一拐角和第二拐角相加为360°；修改设计版图中的第一拐角和第二拐角，以在第一拐角和第二拐角处形成应力缓冲结构；根据所述设计版图在一衬底的表面依次形成金属层和钝化层，所述钝化层的第一拐角和第二拐角处形成有钝化层应力缓冲结构。本发明提供的降低钝化层应力的方法通过改变带状金属层的结构来改变钝化层的结构，从而缓解钝化层的内部应力影响，进而减少或避免钝化层的特殊位置出现缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 钝化 应力 方法 缓冲 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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