[发明专利]用于制作光发射二极管或光接收二极管的方法在审
| 申请号： | 202011165024.4 | 申请日： | 2020-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN112736165A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | L·杜普来;H·富尼耶;F·亨利 | 申请（专利权）人： | 法国原子能源和替代能源委员会 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/44;H01L31/0216;H01L31/18;H01L27/146;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 王艳波;林军 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了用于制作光发射二极管或光接收二极管(102)的方法，包括：在第一衬底(104)上制作具有相反掺杂的第一半导体层和第二半导体层以及第三本征半导体层；刻蚀沟槽，所述沟槽围绕第二层和第三层以及第一层的第一部分的剩余部分(126、128、130)；在沟槽中制作覆盖所述剩余部分的侧壁的电介质间隔体(132)；进行刻蚀，使沟槽延伸到第一衬底；横向刻蚀电介质间隔体的一部分，暴露第一层的第二部分的接触表面(136)；在沟槽中制作与第一层的第二部分的接触表面以及第一层的第二部分的侧面接触的第一电极。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制作 发射 二极管 接收 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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