[发明专利]制作光子晶体的方法及光子晶体在审
| 申请号： | 202011165681.9 | 申请日： | 2020-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN112462452A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 唐波;张鹏;杨妍;李志华;刘若男;李彬;黄凯;谢玲;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G02B1/00 | 分类号： | G02B1/00;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 金铭 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制作光子晶体的方法及光子晶体，该制作光子晶体的方法包括以下步骤：提供绝缘体上硅(SOI)衬底；在所述绝缘体上硅(SOI)衬底上沉积硬掩膜层；在所述硬掩膜层上形成凹槽；采用原子层沉积(ALD)工艺在所述凹槽内形成侧墙；在所述绝缘体上硅(SOI)衬底上形成孔洞结构。采用原子层沉积侧墙工艺，减小孔洞尺寸，实现超出光刻机能力范围的光子晶体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 光子 晶体 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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