[发明专利]一种片式熔断器失效点的分析方法及装置在审
申请号: | 202011166722.6 | 申请日: | 2020-10-27 |
公开(公告)号: | CN112362662A | 公开(公告)日: | 2021-02-12 |
发明(设计)人: | 范士海 | 申请(专利权)人: | 航天科工防御技术研究试验中心 |
主分类号: | G01N21/88 | 分类号: | G01N21/88;G01N23/00;G01R31/54;G01R31/74;G01R31/52;G01N1/32 |
代理公司: | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人: | 李翔 |
地址: | 100085*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本说明书一个或多个实施例提供一种片式熔断器失效点的分析方法及装置,所述熔断器失效点的分析方法包括对待检测的片式熔断器的外观进行观察,检测所述片式熔断器的陶瓷基片是否损坏;将外观合格的片式熔断器进行X射线检查,查找所述外观合格的片式熔断器失效点的位置;对外观合格的片式熔断器进行第一导通测试,确认所述外观合格的片式熔断器是否为开路;通过化学方法对所述外观合格的片式熔断器进行处理,获得去除保护膜的片式熔断器;对所述去除保护膜的片式熔断器进行第二导通测试,获得原始形貌完整的失效点的数量和位置。通过本发明方法中化学处理法对片式熔断器保护膜的处理,对导电膜造成的损坏低,降低了失效点的原始形貌的受损程度。 | ||
搜索关键词: | 一种 熔断器 失效 分析 方法 装置 | ||
【主权项】:
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