[发明专利]铁电电容器、晶体管、存储器件以及制造铁电器件的方法在审
| 申请号： | 202011169351.7 | 申请日： | 2020-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN113130749A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 田尚勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;韩国科学技术院 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L29/51;H01L29/78;H01L27/11507;H01L21/67;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 马晓蒙 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及铁电电容器、晶体管、存储器件以及制造铁电器件的方法。该铁电电容器包括第一电极、面对第一电极的第二电极、在第一电极与第二电极之间的铁电层以及在铁电层与第一电极之间或在铁电层与第二电极之间的界面层。铁电层包括基于铪的氧化物。界面层包括HfO |
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| 搜索关键词： | 电容器 晶体管 存储 器件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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