[发明专利]一种多芯片并联的半桥型IGBT模块在审
| 申请号： | 202011169526.4 | 申请日： | 2020-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN112234054A | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 姚二现;谢龙飞;王豹子;李宇柱 | 申请（专利权）人： | 南瑞联研半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/498 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 211100 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多芯片并联的半桥型IGBT模块，旨在解决现有IGBT模块中芯片间的开通峰值电流差异较大的技术问题。其包括：金属基板和六个绝缘陶瓷衬板，在每个绝缘陶瓷衬板上排布有四个IGBT芯片和两个FRD芯片，所述IGBT芯片的栅极设置在IGBT芯片一侧的中间位置，并全部朝向IGBT模块的中央，IGBT芯片的栅极通过键合线连接绝缘陶瓷衬板上的栅极信号铜箔。本发明能够缩小了模块中IGBT芯片间的开通峰值电流差异，提高芯片开通一致性，避免某一芯片过早失效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 并联 半桥型 igbt 模块 | ||
【主权项】：
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