[发明专利]包含MIM电容的后端结构及其制作方法有效
| 申请号： | 202011169690.5 | 申请日： | 2020-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN112259522B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 刘俊文 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H10N97/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 黎伟 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种包含MIM电容的后端结构及其制作方法，该方法包括：通过光刻工艺和刻蚀工艺在第二介质层中形成沟槽，第二介质层形成于NDC层上，NDC层形成于第一介质层上，第一介质层中形成有第一层引线；在第二介质层上形成台阶型MIM电容；在第二介质层、沟槽和台阶型MIM电容上形成第三介质层；通过光刻和刻蚀工艺在第三介质层中，第一引线的上方形成第一通孔；通过光刻和刻蚀工艺在第三介质层中形成第二通孔、第三通孔和第四通孔；在第一通孔、第二通孔、第三通孔和第四通孔中填充金属层，第一通孔中的金属层形成第二层接触通孔，第二通孔中的金属层形成第二层引线，第三通孔和所述第四通孔中的金属层分别形成第一电容引线和第二电容引线。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 mim 电容 后端 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华虹半导体（无锡）有限公司，未经华虹半导体（无锡）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011169690.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
