[发明专利]MIM电容的形成方法和后端结构有效
| 申请号： | 202011169695.8 | 申请日： | 2020-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN112259523B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 刘俊文 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L49/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 黎伟 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种MIM电容的形成方法和后端结构，该方法包括：通过光刻工艺和刻蚀工艺在第二介质层中形成第一通孔和第二通孔，第一通孔用于形成MIM电容，第二通孔用于形成对准图形，第二介质层形成于NDC层上，NDC层形成于第一介质层上，第一介质层中形成有第一层引线，第一层引线的顶端与NDC层连接；在第二介质层、第一通孔和第二通孔的表面依次形成第一电极层、电容介质层和第二电极层；通过光刻工艺和刻蚀工艺去除除第一通孔底部的预定区域以外，其它区域的第二电极层；在第二介质层、第一通孔和第二通孔的上方形成第三介质层；对第三介质层进行平坦化处理，使除第一通孔和所述第二通孔以外的其它区域的第二介质层暴露。 | ||
| 搜索关键词： | mim 电容 形成 方法 后端 结构 | ||
【主权项】：
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