[发明专利]一种三维存储器及其接触插塞的制造方法有效
| 申请号： | 202011171431.6 | 申请日： | 2020-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN112289739B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 李兆松;魏健蓝;毛晓明;高晶 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈秋忆;徐伟 |
| 地址： | 430079 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种三维存储器及其接触插塞的制造方法，包括：提供半导体晶圆，包括衬底、堆叠结构及层间介质层，堆叠结构中形成有沿高度方向贯穿堆叠结构的阵列共源极以及位于阵列共源极外围的台阶区域；对层间介质层及堆叠结构进行刻蚀，以同时形成暴露阵列共源极的开口和台阶区域的顶部接触孔；经由开口去除阵列共源极中心的填充物，以至暴露阵列共源极边缘的第一导电介质；在开口和顶部接触孔中填充第二导电介质以形成接触插塞。本发明还提供了一种包含上述制造方法形成的接触插塞的三维存储器。本发明所提供的三维存储器及其制造方法能够简化工艺流程步骤，尤其能够减少第二导电介质的使用量以降低工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 存储器 及其 接触 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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