[发明专利]一种半导体集成电路器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202011171637.9 | 申请日： | 2020-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN112420921B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 刘宇;沈鼎瀛;康赐俊;邱泰玮;王丹云;单利军 | 申请（专利权）人： | 厦门半导体工业技术研发有限公司 |
| 主分类号： | H10B63/00 | 分类号： | H10B63/00;H10N70/20 |
| 代理公司： | 北京乐知新创知识产权代理事务所(普通合伙) 11734 | 代理人： | 江宇 |
| 地址： | 361008 福建省厦门市软件*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体集成电路器件及其制造方法，该半导体集成电路器件包括：第一电极，具有凸起的块状结构；阻变层，覆盖在所述块状结构的上表面和侧表面；储氧层，覆盖在所述阻变层的上表面和侧表面，其中，所述储氧层在与所述块状结构的上拐角处的厚度比其他位置处的厚度厚；第二电极，覆盖在所述储氧层的上表面和侧表面。由于块状结构在其上拐角处的电场分布更加集中，且这一位置处的储氧层较厚，更易于生成导电细丝。如此，可将导电细丝的形成位置控制在这一区域内，并在该半导体集成电路器件制造过程中避免了对阻变层的侧壁造成损伤的工艺，还进一步改进了导电细丝形成的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 集成电路 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门半导体工业技术研发有限公司，未经厦门半导体工业技术研发有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011171637.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种利用超声波辅助热预制牛肉的方法
- 下一篇：一种盖板及其制备方法
