[发明专利]鳍式场效应晶体管器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202011171719.3 | 申请日： | 2020-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN112750770A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 林士尧;高魁佑;林志翰;张铭庆;陈昭成 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 陈蒙 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及鳍式场效应晶体管器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法，包括：形成在衬底上方突出的鳍；在鳍的相反侧形成隔离区域；在鳍上方形成虚设栅极；减小虚设栅极的靠近隔离区域的下部的厚度，其中，在减小该厚度之后，虚设栅极的下部的相反侧壁之间的距离随着虚设栅极向隔离区域延伸而减小；在减小该厚度之后，至少沿着虚设栅极的下部的相反侧壁形成栅极填充材料；沿着虚设栅极的侧壁并沿着栅极填充材料的侧壁形成栅极间隔件；以及用金属栅极替换虚设栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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